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Selective Area Epitaxy of GaAs/Ge/Si Nanomembranes: A Morphological Study

We demonstrate the feasibility of growing GaAs nanomembranes on a plastically-relaxed Ge layer deposited on Si (111) by exploiting selective area epitaxy in MBE. Our results are compared to the case of the GaAs homoepitaxy to highlight the criticalities arising by switching to heteroepitaxy. We foun...

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Principais autores: Monica Bollani, Alexey Fedorov, Marco Albani, Sergio Bietti, Roberto Bergamaschini, Francesco Montalenti, Andrea Ballabio, Leo Miglio, Stefano Sanguinetti
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: MDPI AG 2020-01-01
coleção:Crystals
Assuntos:
selective-area-epitaxy
gaas
nanomembranes
iii/v integration
Acesso em linha:https://www.mdpi.com/2073-4352/10/2/57
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