Self-Assembled Local Artificial Substrates of GaAs on Si Substrate
<p>Abstract</p> <p>We propose a self-assembling procedure for the fabrication of GaAs islands by Droplet Epitaxy on silicon substrate. Controlling substrate temperature and amount of supplied gallium is possible to tune the base size of the islands from 70 up to 250 nm and the density from 10<sup>7<...
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| Principais autores: | , , , , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
SpringerOpen
2010-01-01
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| Colecção: | Nanoscale Research Letters |
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | http://dx.doi.org/10.1007/s11671-010-9760-5 |
| Tags: |
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