Self-Assembled Local Artificial Substrates of GaAs on Si Substrate
<p>Abstract</p> <p>We propose a self-assembling procedure for the fabrication of GaAs islands by Droplet Epitaxy on silicon substrate. Controlling substrate temperature and amount of supplied gallium is possible to tune the base size of the islands from 70 up to 250 nm and the density from 10<sup>7<...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
SpringerOpen
2010-01-01
|
| মালা: | Nanoscale Research Letters |
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | http://dx.doi.org/10.1007/s11671-010-9760-5 |
| ট্যাগগুলো: |
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|