Selective Area Epitaxy of GaAs/Ge/Si Nanomembranes: A Morphological Study

We demonstrate the feasibility of growing GaAs nanomembranes on a plastically-relaxed Ge layer deposited on Si (111) by exploiting selective area epitaxy in MBE. Our results are compared to the case of the GaAs homoepitaxy to highlight the criticalities arising by switching to heteroepitaxy. We foun...

תיאור מלא

מידע ביבליוגרפי

Principais autores:	Monica Bollani, Alexey Fedorov, Marco Albani, Sergio Bietti, Roberto Bergamaschini, Francesco Montalenti, Andrea Ballabio, Leo Miglio, Stefano Sanguinetti
פורמט:	Artigo
שפה:	Inglês
יצא לאור:	MDPI AG 2020-01-01
סדרה:	Crystals
נושאים:	selective-area-epitaxy gaas nanomembranes iii/v integration
גישה מקוונת:	https://www.mdpi.com/2073-4352/10/2/57
תגים:	הוספת תג אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!