Understanding Reliability Trade-Offs in 1T-nC and 2T-nC FeRAM Designs
Ferroelectric random access memory (FeRAM) is a promising candidate for energy-efficient nonvolatile memory, particularly for logic-in-memory and compute-in-memory (CIM) applications. Among the available cell architectures, One-Transistor–n-Capacitor (1T-nC) and two-transistor–n-capaci...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , |
|---|---|
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
IEEE
2025-01-01
|
| سلاسل: | IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits |
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ieeexplore.ieee.org/document/11197534/ |
| الوسوم: |
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|