QR குறியீடு

Growth of conductive Si-doped α-Ga2O3 by suboxide molecular-beam epitaxy

We report a two-step film-growth process using suboxide molecular-beam epitaxy (S-MBE) that produces Si-doped α-Ga2O3 with record transport properties. The method involves growing a relaxed α-(AlxGa1−x)2O3 buffer layer on m-plane sapphire at a relatively high substrate temperature (Tsub), ∼750 °C, f...

முழு விளக்கம்

சேமிக்கப்பட்டது:
முதன்மை ஆசிரியர்கள்: Jacob Steele, Julianne Chen, Tamá Burrell, Naomi A. Pieczulewski, Debaditya Bhattacharya, Kathleen Smith, Katie Gann, Michael O. Thompson, Huili G. Xing, Debdeep Jena, David A. Muller, Michael D. Williams, M. K. Indika Senevirathna, Darrell G. Schlom
வடிவம்: Artigo
மொழி:Inglês
வெளியிடப்பட்டது: AIP Publishing LLC 2025-10-01
தொடர்:APL Materials
ஆன்லைன் அணுகல்:https://pubs.aip.org/aip/apm/article-pdf/doi/10.1063/5.0299750/20768473/101117_1_5.0299750.pdf
குறிச்சொற்கள்: குறிச்சொல்லை சேர்க்கவும்
டாக்‌ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!

ஒத்த வளங்கள்