Surface Passivation of Crystalline Silicon Wafer Using H<sub>2</sub>S Gas
We report the effects of H<sub>2</sub>S passivation on the effective minority carrier lifetime of crystalline silicon (c-Si) wafers. c-Si wafers were thermally annealed under an H<sub>2</sub>S atmosphere at various temperatures. The initial minority carrier lifetime (6.97 μs) of a c-Si wafer without...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
MDPI AG
2021-04-01
|
| Loạt: | Applied Sciences |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://www.mdpi.com/2076-3417/11/8/3527 |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
