3 kV monolithic bidirectional GaN HEMT on sapphire

3 kV breakdown voltage was demonstrated in monolithic bidirectional Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) having potential applications in 1200 V or 1700 V class power converters. The on-resistance of the fabricated transistors was ∼20 Ω.mm (∼11 mΩ.cm ^2 ). The breakdown v...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Md Tahmidul Alam, Swarnav Mukhopadhyay, Md Mobinul Haque, Shubhra S. Pasayat, Chirag Gupta
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: IOP Publishing 2025-01-01
سلاسل:Applied Physics Express
الموضوعات:
GaN HEMT
bidirectional transistor
wide bandgap
high electron mobility transistor
الوصول للمادة أونلاين:https://doi.org/10.35848/1882-0786/ad9b6a
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة