Hybrid ferroelectric-ionic memristive hardware for high scalability in-memory computing
Abstract In-memory computing using two-terminal memristors offers a promising route to reduce the energy demands of data-intensive computing. However, current devices scale poorly due to sneak currents and materials that are incompatible with standard complementary metal-oxide-semiconductor and very...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Nature Portfolio
2026-05-01
|
| Loạt: | Nature Communications |
| Truy cập trực tuyến: | https://doi.org/10.1038/s41467-026-72103-6 |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|