Inner Gate Length Modulation of MFMIS Nanosheet FET Memory for Advanced Technology Nodes

This work proposes a new way of lowering the area ratio (AR) between the ferroelectric and metal-oxide-semiconductor (MOS) regions of metal-ferroelectric-metal-insulator-semiconductor (MFMIS) ferroelectric field-effect transistors (FeFETs): the inner gate length (<inline-formula> <tex-math notation=...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Hlavní autoři:	Kyoung Min Choi, Jae Seung Woo, Woo Young Choi
Médium:	Artigo
Jazyk:	Inglês
Vydáno:	IEEE 2025-01-01
Edice:	IEEE Access
Témata:	Area ratio (AR) ferroelectric field-effect transistor (FeFET) nanosheet field-effect transistor (NSFET) memory window (MW) metal-ferroelectric-metal-insulator-semiconductor (MFMIS)
On-line přístup:	https://ieeexplore.ieee.org/document/11141383/
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!