Метод «очищення» поверхні фоточутливих елементів кремнієвих p-i-n фотодіодів від дислокацій
Досліджуючи утворення інверсійних шарів (ІШ) на межі поділу Si-SiO2 в технології виготовлення кремнієвих фотоприймачів, було виявлено деяку динаміку дислокацій після ізотермічних відпалів, яка була відсутня в зразків без інверсії. Після селективного травлення зразків з інверсійними шарами спостеріг...
Kaydedildi:
| Yazar: | |
|---|---|
| Materyal Türü: | Artigo |
| Dil: | Inglês |
| Baskı/Yayın Bilgisi: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry of NAS of Ukraine
2023-05-01
|
| Seri Bilgileri: | Хімія, фізика та технологія поверхні |
| Konular: | |
| Online Erişim: | https://cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/671 |
| Etiketler: |
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!
|