Метод «очищення» поверхні фоточутливих елементів кремнієвих p-i-n фотодіодів від дислокацій
Досліджуючи утворення інверсійних шарів (ІШ) на межі поділу Si-SiO2 в технології виготовлення кремнієвих фотоприймачів, було виявлено деяку динаміку дислокацій після ізотермічних відпалів, яка була відсутня в зразків без інверсії. Після селективного травлення зразків з інверсійними шарами спостеріг...
Guardat en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Format: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicat: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry of NAS of Ukraine
2023-05-01
|
| Col·lecció: | Хімія, фізика та технологія поверхні |
| Matèries: | |
| Accés en línia: | https://cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/671 |
| Etiquetes: |
Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!
|