Line-Edge Roughness from Extreme Ultraviolet Lithography to Fin-Field-Effect-Transistor: Computational Study
Although extreme ultraviolet lithography (EUVL) has potential to enable 5-nm half-pitch resolution in semiconductor manufacturing, it faces a number of persistent challenges. Line-edge roughness (LER) is one of critical issues that significantly affect critical dimension (CD) and device performance...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
MDPI AG
2021-11-01
|
| মালা: | Micromachines |
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://www.mdpi.com/2072-666X/12/12/1493 |
| ট্যাগগুলো: |
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|