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Photogating in Suspended InAs Nanowire Field Effect Transistors for Neuromorphic Applications

ABSTRACT Suspended indium arsenide (InAs) nanowires offer a unique platform for studying surface‐driven transport phenomena due to their high surface‐to‐volume ratio and the absence of dielectric interfaces. In this work, we investigate the role of surface states in InAs nanowire field‐effect transi...

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Principais autores: Aniello Pelella, Valeria Demontis, Andrea Sessa, Adolfo Mazzotti, Filippo Giubileo, Valentina Zannier, Lucia Sorba, Francesco Rossella, Antonio Di Bartolomeo
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: Wiley-VCH 2025-12-01
coleção:Advanced Electronic Materials
Assuntos:
gate‐all‐around
InAs nanowire
neuromorphic
photogating effect
synaptic plasticity
Acesso em linha:https://doi.org/10.1002/aelm.202500520
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