Inhibición de la relajación plástica en heteroestructuras InGaAs/GaAs(001) crecidas a baja temperatura

Low and high temperature grown InGaAs/GaAs(001) epilayers have been studied by Transmission Electron Microscopy and Double Crystal X Ray Diffraction. Our results show that low temperature growth inhibits plastic relaxation, and misfit dislocations only appearing in the subsequent thermal annealing....

Deskribapen osoa

Xehetasun bibliografikoak

Egile Nagusiak:	Herrera, M., González, D., González, M. U., González, Y., González, L., García, R.
Formatua:	Artigo
Hizkuntza:	Inglês
Argitaratua:	Elsevier 2004-04-01
Saila:	Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio
Gaiak:	Relaxation inhibition low temperature growth composition modulation InGaAs/GaAs(001) TEM Inhibición de la relajación crecimiento a baja temperature modulación de composición
Sarrera elektronikoa:	http://ceramicayvidrio.revistas.csic.es/index.php/ceramicayvidrio/article/view/544/564
Etiketak:	Etiketa erantsi Etiketarik gabe, Izan zaitez lehena erregistro honi etiketa jartzen!