High Power Normally-OFF GaN/AlGaN HEMT with Regrown p Type GaN

In this paper is presented a Normally-OFF GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor) device using p-doped GaN barrier layer regrown by CBE (Chemical Beam Epitaxy). The impact of the p doping on the device performance is investigated using TCAD simulator (Silvaco/Atlas). With 4E17 cm⁻³ p...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Hlavní autoři:	Gwen Rolland, Christophe Rodriguez, Guillaume Gommé, Abderrahim Boucherif, Ahmed Chakroun, Meriem Bouchilaoun, Marie Clara Pepin, Faissal El Hamidi, Soundos Maher, Richard Arès, Tom MacElwee, Hassan Maher
Médium:	Artigo
Jazyk:	Inglês
Vydáno:	MDPI AG 2021-09-01
Edice:	Energies
Témata:	HEMT normally-OFF P-GaN CBE
On-line přístup:	https://www.mdpi.com/1996-1073/14/19/6098
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!