P-Type ZnO Films Made by Atomic Layer Deposition and Ion Implantation

Zinc oxide (ZnO) is a wide bandgap semiconductor that holds significant potential for various applications. However, most of the native point defects in ZnO like Zn interstitials typically cause an n-type conductivity. Consequently, achieving p-type doping in ZnO is challenging but crucial for compr...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	Guoxiu Zhang, Lars Rebohle, Fabian Ganss, Wojciech Dawidowski, Elzbieta Guziewicz, Jung-Hyuk Koh, Manfred Helm, Shengqiang Zhou, Yufei Liu, Slawomir Prucnal
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	MDPI AG 2024-06-01
سلاسل:	Nanomaterials
الموضوعات:	p-type-doped ZnO atomic layer deposition ion implantation flash lamp annealing rapid thermal annealing
الوصول للمادة أونلاين:	https://www.mdpi.com/2079-4991/14/13/1069
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!