“GeSn Rule-23”—The Performance Limit of GeSn Infrared Photodiodes
Group-IV GeSn photodetectors (PDs) compatible with standard complementary metal–oxide-semiconductor (CMOS) processing have emerged as a new and non-toxic infrared detection technology to enable a wide range of infrared applications. The performance of GeSn PDs is highly dependent on the Sn compositi...
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակներ: | , , |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Artigo |
| Լեզու: | Inglês |
| Հրապարակվել է: |
MDPI AG
2023-08-01
|
| Շարք: | Sensors |
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | https://www.mdpi.com/1424-8220/23/17/7386 |
| Ցուցիչներ: |
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|