Heterogeneous Integration of Atomically‐Thin Indium Tungsten Oxide Transistors for Low‐Power 3D Monolithic Complementary Inverter

Abstract In this work, the authors demonstrate a novel vertically‐stacked thin film transistor (TFT) architecture for heterogeneously complementary inverter applications, composed of p‐channel polycrystalline silicon (poly‐Si) and n‐channel amorphous indium tungsten oxide (a‐IWO), with a low footpri...

সম্পূর্ণ বিবরণ

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন

প্রধান লেখক:	Zhen‐Hao Li, Tsung‐Che Chiang, Po‐Yi Kuo, Chun‐Hao Tu, Yue Kuo, Po‐Tsun Liu
বিন্যাস:	Artigo
ভাষা:	Inglês
প্রকাশিত:	Wiley 2023-03-01
মালা:	Advanced Science
বিষয়গুলি:	atomically‐thin a‐IWO channel complementary field‐effect transistors inverter monolithic 3D‐IC thin film transistors 2D materials‐like
অনলাইন ব্যবহার করুন:	https://doi.org/10.1002/advs.202205481
ট্যাগগুলো:	ট্যাগ যুক্ত করুন কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!