Resistive switching properties in polycrystalline LiNbO3 thin films
LiNbO _3 (LNO) is currently intensively studied as an important ferroelectric material. In this work, polycrystalline LNO films were prepared through a sputtering technique, and their ferroelectricity-related resistive switching property was investigated using a device structure of PtSi/SiO _2 /LNO/...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , , , , , , , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
IOP Publishing
2024-01-01
|
| தொடர்: | Applied Physics Express |
| பொருள்கள்: | |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | https://doi.org/10.35848/1882-0786/ad3f6d |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|