28 nm high-k-metal gate ferroelectric field effect transistors based synapses — A comprehensive overview

In this invited article we present a comprehensive overview of 28 nm high-k-metal gate-based ferroelectric field effect transistor devices for synaptic applications. The devices under test were fabricated on 300 mm wafers at GlobalFoundries. The fabricated devices demonstrate 103WRITE-endurance cycl...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	Yannick Raffel, Franz Müller, Sunanda Thunder, Masud Rana Sk, Maximilian Lederer, Luca Pirro, Sven Beyer, Konrad Seidel, Bhaswar Chakrabarti, Thomas Kämpfe, Sourav De
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	Elsevier 2023-07-01
سلاسل:	Memories - Materials, Devices, Circuits and Systems
الموضوعات:	FeFET HfO2 Ferroelectric memory Artificial synapse 28 nm-HKMG Hafnium oxide
الوصول للمادة أونلاين:	http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2773064623000257
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!