The Effect of Co/TiN Interfaces on Co Interconnect Resistivity
Electron transport measurements on Co/TiN multilayers are employed to explore the effect of TiN layers on Co resistivity. For this, 50 nm thick multilayer stacks containing <i>N</i> = 1–10 individual Co layers that are separated by 1 nm thick TiN layers are sputter deposited on SiO<sub>2</sub>/Si(00...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
MDPI AG
2025-12-01
|
| Loạt: | Surfaces |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://www.mdpi.com/2571-9637/8/4/89 |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|