QR குறியீடு

MoS<sub>2</sub> Transistors with Low Schottky Barrier Contact by Optimizing the Interfacial Layer Thickness

Molybdenum disulfide (MoS<sub>2</sub>) has attracted great attention from researchers because of its large band gap, good mechanical toughness and stable physical properties; it has become the ideal material for the next-generation optoelectronic devices. However, the large Schottky barrier height (...

முழு விளக்கம்

சேமிக்கப்பட்டது:
முதன்மை ஆசிரியர்கள்: Jinbing Cheng, Junbao He, Chunying Pu, Congbin Liu, Xiaoyu Huang, Deyang Zhang, Hailong Yan, Paul K. Chu
வடிவம்: Artigo
மொழி:Inglês
வெளியிடப்பட்டது: MDPI AG 2022-08-01
தொடர்:Energies
பொருள்கள்:
MoS<sub>2</sub>
TiO<sub>2</sub>
Schottky barrier
contact resistance
ஆன்லைன் அணுகல்:https://www.mdpi.com/1996-1073/15/17/6169
குறிச்சொற்கள்: குறிச்சொல்லை சேர்க்கவும்
டாக்‌ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!

ஒத்த வளங்கள்