QR குறியீடு

Growth, Electronic and Electrical Characterization of Ge-Rich Ge–Sb–Te Alloy

In this study, we deposit a Ge-rich Ge–Sb–Te alloy by physical vapor deposition (PVD) in the amorphous phase on silicon substrates. We study in-situ, by X-ray and ultraviolet photoemission spectroscopies (XPS and UPS), the electronic properties and carefully ascertain the alloy composition to be GST...

முழு விளக்கம்

சேமிக்கப்பட்டது:
முதன்மை ஆசிரியர்கள்: Adriano Díaz Fattorini, Caroline Chèze, Iñaki López García, Christian Petrucci, Marco Bertelli, Flavia Righi Riva, Simone Prili, Stefania M. S. Privitera, Marzia Buscema, Antonella Sciuto, Salvatore Di Franco, Giuseppe D’Arrigo, Massimo Longo, Sara De Simone, Valentina Mussi, Ernesto Placidi, Marie-Claire Cyrille, Nguyet-Phuong Tran, Raffaella Calarco, Fabrizio Arciprete
வடிவம்: Artigo
மொழி:Inglês
வெளியிடப்பட்டது: MDPI AG 2022-04-01
தொடர்:Nanomaterials
பொருள்கள்:
PCM
Ge-rich GST alloys
Raman
electronic properties
ஆன்லைன் அணுகல்:https://www.mdpi.com/2079-4991/12/8/1340
குறிச்சொற்கள்: குறிச்சொல்லை சேர்க்கவும்
டாக்‌ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!

ஒத்த வளங்கள்