Reduced Dislocation of GaAs Layer Grown on Ge-Buffered Si (001) Substrate Using Dislocation Filter Layers for an O-Band InAs/GaAs Quantum Dot Narrow-Ridge Laser

The development of the low dislocation density of the Si-based GaAs buffer is considered the key technical route for realizing InAs/GaAs quantum dot lasers for photonic integrated circuits. To prepare the high-quality GaAs layer on the Si substrate, we employed an engineered Ge-buffer on Si, used th...

முழு விளக்கம்

நூற்பட்டியல் விவரங்கள்

முதன்மை ஆசிரியர்கள்:	Yong Du, Wenqi Wei, Buqing Xu, Guilei Wang, Ben Li, Yuanhao Miao, Xuewei Zhao, Zhenzhen Kong, Hongxiao Lin, Jiahan Yu, Jiale Su, Yan Dong, Wenwu Wang, Tianchun Ye, Jianjun Zhang, Henry H. Radamson
வடிவம்:	Artigo
மொழி:	Inglês
வெளியிடப்பட்டது:	MDPI AG 2022-09-01
தொடர்:	Micromachines
பொருள்கள்:	Si photonics InAs/GaAs Quantum dots III-V epitaxy dislocation filter layers defects
ஆன்லைன் அணுகல்:	https://www.mdpi.com/2072-666X/13/10/1579
குறிச்சொற்கள்:	குறிச்சொல்லை சேர்க்கவும் டாக்‌ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!