Oxidation kinetics of silicon strained by silicon germanium
This paper reports on the studies of oxidation kinetics of silicon strained by silicon germanium layers. Experimental results of natural, chemical and thermal oxide formation are presented. The oxidation rates of silicon strained by SiGe layers have been compared with the rates of pure Si oxidation...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
National Institute of Telecommunications
2023-06-01
|
| মালা: | Journal of Telecommunications and Information Technology |
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://jtit.pl/jtit/article/view/824 |
| ট্যাগগুলো: |
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|