An InGaAsSb Based 640 × 512 Focal Plane Array With Low Surface Leakage Current for Extended Shortwave Detection

An extended-wavelength InGaAsSb focal plane array (FPA) with a 15 μm pixel pitch, 640 × 512 format, and a cutoff wavelength of 3.22 μm is demonstrated. Through the atomic layer deposition Al₂O₃ passivation technology, the natural oxide leakage channel is re...

Бүрэн тодорхойлолт

Номзүйн дэлгэрэнгүй

Үндсэн зохиолчид:	Ruoyu Xie, Yifan Shan, Lingze Yao, Donghai Wu, Xiangbin Su, Hongyue Hao, Dongwei Jiang, Mengqi Yang, Ye Zhang, Hui Xie, Guowei Wang, Yingqiang Xu, Haiqiao Ni, Zhichuan Niu
Формат:	Artigo
Хэл сонгох:	Inglês
Хэвлэсэн:	IEEE 2025-01-01
Цуврал:	IEEE Photonics Journal
Нөхцлүүд:	ESWIR focal plane array InGaAsSb passivation
Онлайн хандалт:	https://ieeexplore.ieee.org/document/11072720/
Шошгууд:	Шошго нэмэх Шошго байхгүй, Энэхүү баримтыг шошголох эхний хүн болох!