Investigation on <i>β</i>-Ga₂O₃-Based Schottky Barrier Diode with Floating Metal Rings

In this study, the performance of Schottky barrier diodes (SBD) based on <i>β</i>-Ga₂O₃ with floating metal rings (FMR) was investigated using numerical simulations with Technology Computer-Aided Design (TCAD) software. The simulation parameters of <i>β</i>-Ga₂O<sub>...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Hlavní autoři:	Suhao Yao, Kemeng Yang, Lili Yang, Ganrong Feng, Maolin Zhang, Yufeng Guo, Weihua Tang
Médium:	Artigo
Jazyk:	Inglês
Vydáno:	MDPI AG 2023-04-01
Edice:	Crystals
Témata:	Schottky barrier diodes <i>β</i>-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> floating metal rings technology computer-aided design breakdown voltage
On-line přístup:	https://www.mdpi.com/2073-4352/13/4/666
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!