Advanced GeSn/SiGeSn Group IV Heterostructure Lasers
Abstract Growth and characterization of advanced group IV semiconductor materials with CMOS‐compatible applications are demonstrated, both in photonics. The investigated GeSn/SiGeSn heterostructures combine direct bandgap GeSn active layers with indirect gap ternary SiGeSn claddings, a design proven...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , , , , , , , , |
|---|---|
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Wiley
2018-06-01
|
| سلاسل: | Advanced Science |
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://doi.org/10.1002/advs.201700955 |
| الوسوم: |
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|