Time-Variant Reliability Optimization for Stress Balance in Press-Pack Insulated Gate Bipolar Transistors

Stress imbalance significantly affects the performance of a press-pack insulated gate bipolar transistor (IGBT). Time-variant loads and conditions lead to the stress fluctuations, exacerbating the impacts. The conventional reliability optimization faces efficiency barriers due to the nested time-var...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ

Հիմնական հեղինակներ:	Hangyang Li, Tongguang Yang, Xinglin Liu, Jingyi Zhong, Jiaxin Mo, Han Zhou, Zhongkun Xiao
Ձևաչափ:	Artigo
Լեզու:	Inglês
Հրապարակվել է:	IEEE 2023-01-01
Շարք:	IEEE Access
Խորագրեր:	Decoupling algorithm insulated gate bipolar transistor stress balance time-variant reliability optimization
Առցանց հասանելիություն:	https://ieeexplore.ieee.org/document/10244169/
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!