Interpreting anomalies observed in oxide semiconductor TFTs under negative and positive bias stress
Oxide semiconductor thin-film transistors can show anomalous behavior under bias stress. Two types of anomalies are discussed in this paper. The first is the shift in threshold voltage (VTH) in a direction opposite to the applied bias stress, and highly dependent on gate dielectric material. We attr...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , , , , , , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
AIP Publishing LLC
2016-08-01
|
| தொடர்: | AIP Advances |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | http://dx.doi.org/10.1063/1.4962151 |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|