Low-Voltage High-Speed Ring Oscillator With a-InGaZnO TFTs
This paper presents a high-speed ring oscillator (RO) with amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-film transistors (a-IGZO TFTs). The proposed RO reduces the delay of a single stage inverter using intermediate signals generated within the RO, hence, improving the speed. To validate the proposed id...
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| Principais autores: | , , , , , , , , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
IEEE
2020-01-01
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| coleção: | IEEE Journal of the Electron Devices Society |
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://ieeexplore.ieee.org/document/9099219/ |
| Tags: |
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