Photoreflectance study of the GaAs buffer layer in InAs/GaAs quantum dots

GaAs buffer layer in InAs /GaAs quantum dots (QDs) was investigated by Photoreflectance (PR) technique at 300 K. PR spectra obtained were compared with commercial GaAs sample PR spectra, and they were analyzed by using the derivative Lorentzian functions as propose...

Полное описание

Библиографические подробности

Опубликовано в::	Superficies y vacío
Главные авторы:	D.J. Sánchez - Trujillo, J.J. Prías - Barragán, H. Ariza - Calderón, A .O. Pulzara - Mora, M. López - López
Формат:	Artigo
Язык:	Inglês
Опубликовано:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2017
Предметы:	Física, Astronomía y Matemáticas
Online-ссылка:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94254621002
Метки:	Добавить метку Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!