Propiedades fotoluminiscentes de películas de SiOx crecidas por la técnica HFCVD
En este trabajo se reportan los resultados de caracterización realizados sobre películas de óxido de silicio sub-estequiométrico (SiOx, x<2) obtenido mediante la técnica de depósito químico en fase vapor habilitado con filamento caliente (HFCVD), usando silicio po...
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| Publicat a: | Superficies y vacío |
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| Autors principals: | , , , , |
| Format: | Artigo |
| Idioma: | Espanhol |
| Publicat: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2010
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| Accés en línia: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94248264030 |
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