Estudio del tiempo característico de llenado de trampas en GaAs y en puntos cuánticos de InAs por medio del análisis de espectros de fotorreflectancia
En este trabajo se presentan los resultados del estudio del tiempo de llenado de trampas en un monocristal de GaAs y en puntos cuánticos autoensamblados (PCAs) de InAs, empleando el análisis de espectros de Fotorreflectancia(FR) a temperatura ambiente. Los PCAs fueron crecidos sobre un...
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| Опубліковано в:: | Superficies y vacío |
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| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Artigo |
| Мова: | Espanhol |
| Опубліковано: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2015
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| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94239246001 |
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