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Estudio del tiempo característico de llenado de trampas en GaAs y en puntos cuánticos de InAs por medio del análisis de espectros de fotorreflectancia

En este trabajo se presentan los resultados del estudio del tiempo de llenado de trampas en un monocristal de GaAs y en puntos cuánticos autoensamblados (PCAs) de InAs, empleando el análisis de espectros de Fotorreflectancia(FR) a temperatura ambiente. Los PCAs fueron crecidos sobre un...

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Опубліковано в::Superficies y vacío
Автори: T. Figueroa - Reina, D. J. Sánchez - Trujillo, J. J. Prías-Barragán, H. Ariza - Calderón, A. Pulzara, M. López - López
Формат: Artigo
Мова:Espanhol
Опубліковано: Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2015
Предмети:
Онлайн доступ:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94239246001
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