Memristance effect of metal-insulator-metal structures using Al2O3 film as active layer for emergent memory devices

The memristor effect (cyclic switching from a High-Resistance State to a Low-Resistance State and viceversa) and a conductivity/resistivity window (I OFF /I ON ratio) of more than 4 orders of magnit ude have been obtained in Metal-Insulator- Metal (MIM) structures that use Al 2 O 3 as oxide layer af...

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Detalhes bibliográficos

Publicado no:	Superficies y vacío
Principais autores:	J. Molina, R. Valderrama, W. Calleja, P. Rosales, C. Zúñiga, E. Gutiérrez, J. Hidalga, A. Torres
Formato:	Artigo
Idioma:	Inglês
Publicado em:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2014
Assuntos:	Física, Astronomía y Matemáticas
Acesso em linha:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94231175001
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