Study of InxGa1-xN layers growth on GaN/Al2O3 by MOCVD at different pressures

We present the InxGa1-xN layers growth in a metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) system. First, we growth a GaN epitaxial layer on sapphire substrate, trimethylgallium (TMGa) and ammonia (NH3) are precursors of gallium and nitrogen, respectively, and hydrogen (H2) is used as the carrier ga...

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Detalhes bibliográficos

Publicado no:	Superficies y vacío
Principais autores:	C. Guarneros, J. E. Espinosa, V. M. Sánchez, U. López
Formato:	Artigo
Idioma:	Inglês
Publicado em:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2013
Assuntos:	Física, Astronomía y Matemáticas
Acesso em linha:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94229715006
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