Photoluminescence studies of Mg-doped gallium nitride films grown by metalorganic chemical vapor deposition

Mg-doped GaN epitaxial layers grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) have been investigated by Photoluminescence, Raman scattering and X-ray Diffraction in the as-grown condition and after annealing. The photoluminescence measurement showed 2.9 eV band associated with the optical tr...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Wydane w:Superficies y vacío
Główni autorzy: C. Guarneros, V. Sánchez
Format: Artigo
Język:Inglês
Wydane: Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2012
Hasła przedmiotowe:
Física, Astronomía y Matemáticas
Mg
doped GaN
Raman scattering
Photoluminescence
ray Diffraction Annealing
Dostęp online:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94225421005
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!

Podobne zapisy