Ładuje się......
Photoluminescence studies of Mg-doped gallium nitride films grown by metalorganic chemical vapor deposition
Mg-doped GaN epitaxial layers grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) have been investigated by Photoluminescence, Raman scattering and X-ray Diffraction in the as-grown condition and after annealing. The photoluminescence measurement showed 2.9 eV band associated with the optical tr...
Zapisane w:
| Wydane w: | Superficies y vacío |
|---|---|
| Główni autorzy: | , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2012
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94225421005 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|