Transición electrónica fundamental en pozos cuánticos GaN/InGaN/GaN con estructura de zincblenda

En este trabajo calculamos la energía de transición entre el primer nivel de huecos y el primer nivel de electrones (1h-1e)en pozos cuánticos de GaN/InxGa1-xN/GaN con estructura cúbica. Los cálculos los realizamos mediante la aproximaciónempírica de amarre fuerte (tight binding) con una base de orbi...

Ausführliche Beschreibung

Bibliografische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Superficies y vacío
Hauptverfasser:	H. Hernández-Cocoletzi, D. A. Contreras-Solorio, J. Madrigal-Melchor, J. Arriaga
Format:	Artigo
Sprache:	Espanhol
Veröffentlicht:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2006
Schlagworte:	Física, Astronomía y Matemáticas
Online-Zugang:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94219302
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