Transición electrónica fundamental en pozos cuánticos GaN/InGaN/GaN con estructura de zincblenda
En este trabajo calculamos la energía de transición entre el primer nivel de huecos y el primer nivel de electrones (1h-1e)en pozos cuánticos de GaN/InxGa1-xN/GaN con estructura cúbica. Los cálculos los realizamos mediante la aproximaciónempírica de amarre fuerte (tight binding) con una base de orbi...
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| Publié dans: | Superficies y vacío |
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| Format: | Artigo |
| Langue: | Espanhol |
| Publié: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2006
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| Accès en ligne: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94219302 |
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