Obtención y caracterización de TiSi2
En el departamento de Electrónica del INAOE se desarrolla un proyecto que tiene como fin la reducción de las dimensiones mínimas de 10 a 3 m en el Laboratorio de Microelectrónica. Este escalamiento implica la reducción en las profundidades de unión, ancho de líneas de interconexión y capas aislantes...
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| Publié dans: | Superficies y vacío |
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| Auteurs principaux: | , |
| Format: | Artigo |
| Langue: | Espanhol |
| Publié: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2001
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| Accès en ligne: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201326 |
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