Epitaxias de Hg1-xCdxTe con orientación cristalográfica ( 1 1 1 ) Te
Se crecieron películas epitaxiales de Hg1-xCdxTe sobre sustratos de CdTe, Cd0.96Zn0.04Te y CdTe0.96Se0.04, conorientación cristalográfica ( 1 1 1 ) Te, por el método de epitaxia en fase vapor isotérmica sin sobrepresión de Hg.Se utilizaron sustratos de Cd0.96Zn0.04Te y CdTe0.96Se0.04 pues esto posib...
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| Publicado no: | Superficies y vacío |
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| Principais autores: | , , , |
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Espanhol |
| Publicado em: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2001
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| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201305 |
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