Ultra Thin Depleted Silicon On Insulator MOSFET: a simulation based on COMSOL Multiphysics
We use the MOS transistor model from COMSOL [1] as a template to develop our own UT-FD-SOI-MOSFET with an ultra thin geometry(Channel thickness = 10nm). SOIMOSFETs are used to reduce short channel effect problems in actual MOSFET structures and to enable further miniaturization. Our model shows a li...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Avances en Ciencias e Ingenierías |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Universidad San Francisco de Quito
2012
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=726180827013 |
| الوسوم: |
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|