Dispositivo láser semiconductor con puntos cuánticos para emisión en el cercano infrarrojo
En este trabajo se reporta la fabricación de un dispositivo láser de semiconductores III-V de confinamiento separado. La heteroestructura se creció usando la técnica de epitaxia por haces moleculares y se caracterizó óptica, topográfica y eléctricamente por medio de fotoluminiscencia, microscopia de...
Salvato in:
| Pubblicato in: | Revista Mexicana de Física |
|---|---|
| Autori principali: | , , , |
| Natura: | Artigo |
| Lingua: | Espanhol |
| Pubblicazione: |
Sociedad Mexicana de Física A.C.
2019
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57082921009 |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|