Dispositivo láser semiconductor con puntos cuánticos para emisión en el cercano infrarrojo
En este trabajo se reporta la fabricación de un dispositivo láser de semiconductores III-V de confinamiento separado. La heteroestructura se creció usando la técnica de epitaxia por haces moleculares y se caracterizó óptica, topográfica y eléctricamente por medio de fotoluminiscencia, microscopia de...
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| Publicat a: | Revista Mexicana de Física |
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| Autors principals: | , , , |
| Format: | Artigo |
| Idioma: | Espanhol |
| Publicat: |
Sociedad Mexicana de Física A.C.
2019
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| Accés en línia: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57082921009 |
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