Determination of the barrier height of P t − Ir Schottky nano-contacts on Al-doped ZnO thin films by conductive Atomic Force Microscopy

By means of the I-V characteristics measured at room temperature, the height of the Schottky barrier established by the conductive P t − Ir tip of an Atomic Force Microscope on the aluminum doped ZnO thin films were estimated in the range of 0.58 − 0.64 eV. The ideality factors were in the range of...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ

Հրատարակված է:	Revista Mexicana de Física
Հիմնական հեղինակներ:	J. Eduardo River L., N. Munoz-Aguirre, G. Juliana Gutierrez-Paredes, P. A. Tamayo-Meza, Alejandro A. Zapata, L. Martínez-Perez
Ձևաչափ:	Artigo
Լեզու:	Inglês
Հրապարակվել է:	Sociedad Mexicana de Física A.C. 2018
Խորագրեր:	Física, Astronomía y Matemáticas
Առցանց հասանելիություն:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57082916017
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!