Načítá se...
Electrical characterization of GaN/ALN heterostructures grown by molecular beam epitaxy on silicon substrates
In this paper, n -type gallium nitride thin films were grown on p -type and n -type silicon substrates by Molecular Beam Epitaxy technique, employing an aluminum nitride layer as an insulator buffer coating. The samples constitute primary semiconductor-insulator-semiconductor or SIS heterostructures...
Uloženo v:
| Vydáno v: | Revista Mexicana de Física |
|---|---|
| Hlavní autoři: | , , , , , |
| Médium: | Artigo |
| Jazyk: | Espanhol |
| Vydáno: |
Sociedad Mexicana de Física A.C.
2016
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57042601009 |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|