Ab-initio and tight-binding studies of porous Si and Ge
First-principles and semi-empirical methods are employed to calculate electronic and optical properties of porous silicon and porous germanium. In order to test the parameters used in this work, the crystalline case has been taken as a starting point, where the sp3 s ∗ tight-binding and the density...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | Revista Mexicana de Física |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
Sociedad Mexicana de Física A.C.
2007
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57036163053 |
| ট্যাগগুলো: |
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|