Electronic structure of delta shaped AlGaAs/GaAs quantum wells
With modern growth epitaxial techniques it is possible to fabricate very sophisticated heterostructures. In this paper we present a theoreticalstudy of the electronic structure associated to a single AlGaAs/GaAs delta-shaped quantum well. We show that a potential with this profilecan be built chang...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Revista Mexicana de Física |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Sociedad Mexicana de Física A.C.
2007
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57036163022 |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|