Dependencia con la temperatura de los fonones activos en Raman del compuesto TlGaS2
The isobaric temperature dependence of the Raman active phonons of layer TlGaS2 compound was studied in the temperature range from 26 K to 300 K, approximately. The results showed that for the internal modes of material the anharmonic contributions to the phonon decay is higher than the correspondin...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Revista Mexicana de Física |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Espanhol |
| منشور في: |
Sociedad Mexicana de Física A.C.
2006
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57020393049 |
| الوسوم: |
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|